Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
TSM4NB65CH C5G
Product Overview
Mtengenezaji:
Taiwan Semiconductor Corporation
Nambari ya Kipande:
TSM4NB65CH C5G-DG
Maelezo:
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
Maelezo ya Kina:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Hesabu:
10528 Pcs Mpya Halisi Katika Hifadhi
12897743
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
Ugiy
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
TSM4NB65CH C5G Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Taiwan Semiconductor
Ufungashaji
Tube
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
650 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
4A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
3.37Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
13.46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
549 pF @ 25 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
70W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
TO-251 (IPAK)
Kifurushi / Kesi
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
TSM4NB65
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
75
Majina mengine
TSM4NB65CHC5G
TSM4NB65CH C5G-DG
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
STU6N65M2
MTENGENEZAJI
STMicroelectronics
KIASI KILICHOPATIKANA
543
Nambari ya Sehemu
STU6N65M2-DG
BEI YA KILA KITU
0.44
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
TSM480P06CI C0G
MOSFET P-CH 60V 20A ITO220
DMTH8012LPSW-13
MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
TSM160N10LCR RLG
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
